Modèle de Produit

QM20TD-HB

Introduction

Module IGBT conçu pour des applications de commutation de puissance à haute efficacité et haute vitesse.

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Capacité de commutation haute vitesse, faible perte d'énergie et haute efficacité, circuit de commande de porte intégré.

Performance du Produit

Capable de gérer de fortes intensités, performance thermique améliorée, interférences électromagnétiques réduites.

Spécifications Techniques

Tension collecteur-émetteur : 1200 V, courant collecteur : 20 A, tension porte-émetteur : ±20 V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Conception de module compacte, emballage standardisé pour une intégration facile, emballage sécurisé pour un transport sans risque.

Qualité et Fiabilité

Conforme à des normes de qualité strictes, haute fiabilité dans des applications exigeantes, longue durée de vie opérationnelle avec une dégradation minimale.

Avantages du Produit

Efficacité énergétique améliorée par rapport à des modèles similaires, construction robuste assurant la durabilité sous contrainte, rapport coût-performance optimal.

Compétitivité du Produit

Performance supérieure par rapport aux concurrents dans des catégories similaires, structure tarifaire attractive.

Compatibilité

Compatible avec des pilotes IGBT standards, flexible pour une utilisation dans diverses topologies de circuits.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes électroniques internationales, certifié pour une utilisation sécurisée dans les applications spécifiées.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie avec des performances soutenues, matériaux choisis pour leur durabilité environnementale.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans des systèmes de contrôle de moteur, adapté aux systèmes d'énergie renouvelable, efficace pour des applications d'alimentation électrique.

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